On the fab floor, SiC wafers don’t give you any room to play with temperature. A 2°C swing during the photoresist bake is enough to throw overlay off, and a sloppy lamp profile will kill an entire lot. We built our SiC wafer processing heater lamp to live in that reality.
What matters, technically
আমরা ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ইনফ্রারেড হ্যালোজেন এমিটার ব্যবহার করি, যেগুলো কুয়ার্টজ এনভেলপে আবদ্ধ, SiC শোষণের সঙ্গে মিলিয়ে টিউন করা হয়েছে যাতে ওয়েফার দ্রুত গরম হয় এবং স্থিতিশীল থাকে। বেক জোন জুড়ে আমরা ওয়েফার-স্তরের একরূপতা ±0.1°C এর মধ্যে ধরে রাখি, এবং সাইকেল-টু-সাইকেল পুনরাবৃত্তি ±0.5°C এর মধ্যে থাকে। ক্লিনরুমের আচরণ প্রকৌশলীভাবে নিশ্চিত করা হয়েছে: Class 1–100 সম্মত উপাদান, তাপীয় সাইক্লিং চলাকালে কোনো কণিকা নির্গমন হয় না, এবং একটি কম আউটগ্যাসিং ডিজাইন যা চেম্বারের দূষণ রোধ করে। আপনি দ্রুত র্যাম্প রেট পাবেন, তাপীয় বাজেট অতিক্রম না করেই, এবং সিস্টেমটি 24/7 চলমান রাখতে নির্মিত, যার নির্ভরযোগ্যতা প্রোফাইল অনির্ধারিত ডাউনটাইম শূন্য রাখে।
Why it plays in lithography
ট্র্যাকে এই ল্যাম্প SiC তে ধারাবাহিক সফট বেক এবং হার্ড বেক প্রোফাইল সরবরাহ করে, ফলে আপনি গুরুত্বপূর্ণ মাত্রা নিয়ন্ত্রণ বা ফলন হারান না। শক্তিশালী তাপীয় একরূপতা এজ বিড এবং রেজিস্ট ত্রুটি কমায়, এবং পুনরাবৃত্ত বেক তাপমাত্রা পুনঃকাজ কমিয়ে লাইন-অফ-সাইট প্রসেস সক্ষমতা উন্নত করে। ইনফ্রারেড কাপলিং কার্যকর এবং ডওয়েল নিয়ন্ত্রণ সঠিক, ফলে আপনি কম শক্তি ব্যবহার করেন। এমিটার লাইফ এবং মডুলার বিন্যাসের কারণে রক্ষণাবেক্ষণের সময়সীমা বৃদ্ধি পায়।
What you need to get right
ইনস্টলেশনে ল্যাম্পের ফুটপ্রিন্ট এবং ইন্টারফেস আপনার ট্র্যাক টুলের সাথে মিলিয়ে নিতে হবে, তারপর ভোল্টেজ এবং কানেক্টর স্পেসিফিকেশন ক্যাবিনেট সাপ্লাইয়ের সঙ্গে যাচাই করতে হবে। ল্যাম্প স্পেসিফিকেশনের মধ্যে থাকবে যখন চেম্বার চাপ এবং গ্যাস প্রবাহ নির্ধারিত সীমার মধ্যে থাকবে; এই সীমার বাইরে গেলে একরূপতা এবং র্যাম্প রেট কমে যাবে। ইনস্টলেশন শুরুতে আপনার রক্ষণাবেক্ষণ দলের সঙ্গে সেটআপ করুন, এবং বেক রেসিপি, তাপমাত্রা সেটপয়েন্ট, এবং ইন্টারলক লজিক প্রোডাক্ট চালানোর আগে সমন্বয় করুন।