Aufrüstung der Ausrüstung für Saalräume in der Fabrik

Sun, 19 Jul 2026 09:46:19 +0800

Kohlenstoffeinsparung in den Halbleiterfabriken: Der Übergang auf Infrarotheizung
Seien wir ehrlich – Halbleiterfabriken sind echte Energiefresser. Die meisten alten Geräte in den Reinräumen nutzen immer noch resistive Heizmethoden oder ineffiziente thermische Prozesse, wodurch Energie verschwendet wird. Das ist Unsinn. Deshalb wechseln immer mehr Fabriken auf Systeme mit Kurzwell-Infrarotstrahlung. Das ist eine viel effektivere Methode zur Erwärmung der Wafer.

Warum das funktioniert
Standardheizer versuchen, die Luft zu erhitzen, damit die Wafer warm werden. Das ist eine enorme Verschwendung von Kilowattstunden. Infrarotlampen hingegen nutzen Strahlung – die Photonen treffen direkt auf das Zielobjekt. Dadurch wird keine Energie für die Erwärmung des gesamten Raumes verschwendet. Wenn man auf hochdichte Infrarotarrays umsteigt, verkürzt sich die Zeit bis zur Erreichen der gewünschten Temperatur erheblich. Es geht also viel schneller. Und da die Zykleizeiten kürzer sind, wird pro Wafer viel weniger Energie verbraucht.

Ausrüstung für die Wafer Fertigungsanlagen

Mon, 22 Jun 2026 19:35:50 +0800

In der Fertigung ist die Temperatur nicht einfach nur eine Einstellung – sie stellt vielmehr eine Grenze dar. Eine Abweichung von einem halben Grad während des Weichbrennvorgangs des Photorezysts kann dazu führen, dass die gewünschten Dimensionen nicht mehr eingehalten werden – mit dem Ergebnis, dass viele Produkte als unbrauchbar gelten. Deshalb haben wir unsere Infrarot-Heizmodule so konzipiert, dass sie den Anforderungen der Lithografie und des Photorezystverarbeitungsprozesses entsprechen: wiederholbare Heiztemperatur ohne Kompromisse.

Was technisch wichtig ist: Wir verwenden Kurzwellen-Infrarotemitter mit schneller Reaktionszeit und präziser Spektralkontrolle, um die Wafer direkt zu erhitzen. Dadurch entsteht weniger thermische Verzögerung und weniger Einfluss durch die Behälterumgebung. Die Homogenität der Temperaturen auf der Waferoberfläche bleibt im gesamten Prozessbereich bei ±0,1°C – dadurch bleibt der Fluss des Photorezysts sowie die Entfernung des Lösungsmittels konstant. Der Härtebrennvorgang sorgt wiederum für eine gleichmäßige Vernetzung des Photorezysts.

Ausrüstung on Warm IR Heating Equipment

Aufrüstung der Ausrüstung für Saalräume in der Fabrik

Ausrüstung für die Wafer Fertigungsanlagen