Heizgerät zur Charakterisierung von Halbleiterbauelementen

Wed, 17 Jun 2026 11:53:49 +0800

In der Fertigungshallen verursacht eine Temperaturänderung von 2°C während des Trocknungsprozesses des Photoresists nicht nur Abweichungen in der CD-Wertigkeit der Wafer. Zudem werden stundenlange Lithografieprozesse verschwendet – Wafer, die eigentlich als Rohmaterial weiterverarbeitet werden könnten, müssen als Schrott entsorgt werden. Ineffektive Heizgeräte machen es schwierig, den optimalen thermischen Zustand zu erreichen – jede erneute Qualifizierung führt dazu, dass die Produktionszeit zunimmt.

Wir haben dieses Heizgerät für die Charakterisierung von Halbleiterkomponenten so konstruiert, dass eine wiederholbare Temperaturregulierung sowie eine kompatibele Bauweise mit Reinräumen gewährleistet sind. Die Einheitlichkeit der Temperaturen auf der Waferoberfläche wird auf ±0,1°C innerhalb der aktiven Zone gehalten – dadurch entstehen minimale Abweichungen zwischen den verschiedenen Bereichen der Waferoberfläche.

Characterization on Warm IR Heating Equipment

Heizgerät zur Charakterisierung von Halbleiterbauelementen