Elemento calefactor de horno semiconductor

Wed, 01 Jul 2026 07:31:39 +0800

En el área de producción, se aprende rápidamente: un calentamiento suave que provoque una variación de solo 0.3°C ya puede afectar la precisión del proceso de exposición. Por otro lado, un calentamiento excesivo en los bordes de la olla de cocción hará que sea necesario ajustar nuevamente las configuraciones durante el proceso de recubrimiento. Las obleas no toleran ninguna irregularidad térmica.

Lo que es importante desde el punto de vista técnico Hemos diseñado los elementos calefaccionales del horno NIR utilizando emisores de infrarrojo de onda corta dentro de una estructura de cuarzo. El objetivo es lograr una uniformidad submilimétrica en toda la superficie de la oblea, además de valores de referencia que se mantengan constantes en cada ciclo de trabajo. El perfil térmico se mantiene dentro de un rango de ±0.1°C, lo que permite evitar desperdicios energéticos en procesos complejos como el uso de resinas fotográficas avanzadas. Los materiales utilizados son compatibles con ambientes limpios, y su diseño minimiza la presencia de partículas, evitando así la contaminación de las obleas y de la cámara del horno.

Horno on Warm IR Heating Equipment

Elemento calefactor de horno semiconductor