
Sur le plan de fabrication, l’affinage des wafer permet de révéler la structure interne du circuit imprimé. Le budget thermique, quant à lui, n’est pas quelque chose qui puisse être négocié. L’intégrité du revêtement photo-résistant, la contrainte due à l’oxyde, la déformation du wafer : tout cela dépend du contrôle de la température. Une variation de demi-degré peut entraîner des déformations dans le film, provoquer des délaminations, et ainsi ruiner toute une série de wafer de 300 mm. Nous avons conçu notre plateforme de chauffage infrarouge afin de maintenir ce profil thermique stable, cycle après cycle.
Le chauffage infrarouge agit en couplant directement avec les films fins et le substrat. Nos array à ondes courtes permettent d’affecter l’énergie là où elle est nécessaire, avec une uniformité au niveau du wafer de ±0,1 °C dans toute la zone active. Les rampes de température dépassent 10 °C/s, ce qui permet de réduire le temps de cuisson sans risque de surchauffe.
La compatibilité avec les salles propres de classe 1 à 100 est intégrée dans la conception : des matériaux à faible émission de gaz, des fenêtres en quartz scellées, ainsi que des systèmes d’aération laminaire permettent de maintenir un nombre de particules très faible. Aucune génération de particules n’est observée, contrairement aux promesses faites ; le suivi en temps réel garantit un nombre de particules inférieur à 0,3 particules/cm².
Avec l’affinage des wafer, la chaleur est transmise directement au wafer, et non au support. Cela permet de préserver les caractéristiques du revêtement photo-résistant, de minimiser les déformations aux bords, et de maintenir les dimensions critiques conformes aux spécifications. On obtient ainsi une plus grande répétabilité dans les valeurs de épaisseur, moins de produits defects, et des paramètres de cuisson stables d’une série à l’autre.
L’utilisation d’énergie diminue, car le chauffage agit directement sur le film, sans entraîner de chauffage parasite des éléments de fixation. Les modules fonctionnent 24/7, sans arrêt imprévu, avec une durée de vie moyenne supérieure à 10 000 heures.
L’installation est simple, mais l’intégration est obligatoire. Le système nécessite une ligne de commande dédiée de 24 V, de l’air sec et propre à 0,4 MPa, ainsi qu’une chambre de traitement équipée de fenêtres en quartz adaptées au système de manipulation utilisé. L’intégration prend environ deux jours, y compris la calibration des tableaux d’émissivité pour chaque type de film.
Il faut également tenir compte du phénomène d’ombre thermique dans les zones situées aux bords du wafer. Nous fournissons un protocole de cartographie permettant de définir des conditions de bordure sécurisées.