Chauffage par résistance à faisceau d électrons

Sat, 27 Jun 2026 01:52:16 +0800

Sur le poste de lithographie, le séchage du résistant aux rayons électrons n’est pas simplement une étape supplémentaire : c’est en fait un élément clé pour contrôler l’épaisseur des lignes tracées. Une variation de 5 °C pendant ce processus peut rapidement affecter la précision des dimensions critiques du circuit imprimé. Il est donc impossible d’utiliser des méthodes approximatives dans ce processus ; celles-ci ne peuvent certainement pas être utilisées en production.

Nous concevons les chauffages utilisés pour sécher le résistant aux rayons électrons en tenant compte d’une exigence essentielle : un comportement thermique prévisible, et non aléatoire. L’élément chauffant utilise des ondes infrarouges à courte longueur d’onde pour transférer l’énergie rapidement, sans créer de points chauds. Dans toute la zone de séchage, l’uniformité de température reste à ±0,1 °C, ce qui garantit que chaque wafer reçoive la même quantité d’énergie thermique. La répétabilité de la température est de l’ordre de quelques milli-degrés, ce qui permet de maintenir la stabilité des dimensions critiques du circuit imprimé, lot après lot. Les matériaux utilisés pour construire la chambre de séchage et leurs finitions de surface sont choisis pour permettre un fonctionnement en environnement propre, avec zéro génération de particules pendant le processus de séchage. La plateforme est conçue pour fonctionner 24/7, avec des circuits de régulation thermique qui évitent tout arrêt imprévu.

Résister on Warm IR Heating Equipment

Chauffage par résistance à faisceau d électrons