
Di ruang produksi, proses pemipihan wafer memungkinkan kita untuk melihat bagian dalam wafer tersebut. Namun, kontrol suhu merupakan hal yang tidak bisa diabaikan. Integritas lapisan fotorezist, tekanan oksida, serta deformasi wafer semuanya bergantung pada kontrol suhu yang tepat. Perubahan suhu sebesar setengah derajat saja sudah cukup untuk menyebabkan perubahan tekanan pada lapisan film, sehingga berpotensi merusak seluruh batch wafer berukuran 300 mm tersebut. Kami membangun platform pemanas inframerah yang mampu menjaga stabilitas suhu, dari satu siklus ke siklus berikutnya.
Pemanasan inframerah bekerja dengan cara mengirimkan energi langsung ke lapisan tipis wafer dan substratnya. Arrangement gelombang pendek NIR kami memastikan energi sampai ke tempat yang diperlukan, dengan tingkat keseragaman suhu sebesar ±0,1°C di seluruh area aktif wafer. Laju kenaikan suhu dapat mencapai lebih dari 10°C/detik, sehingga proses pemanasan dapat dilakukan secara efisien tanpa adanya peningkatan suhu yang berlebihan.
Kemampuan sistem ini untuk beroperasi dalam kondisi cleanroom kelas 1–100 telah terintegrasi dalam desainnya: bahan-bahan yang menghasilkan emisi gas rendah, jendela kaca kuarsa yang tertutup rapat, serta sistem aliran udara yang terkontrol, semuanya membantu menjaga jumlah partikel tetap rendah. Tidak ada partikel yang dihasilkan, karena sistem pemantauan real-time memastikan jumlah partikel tetap di bawah 0,3 partikel/cm².
Dengan proses pemipihan wafer, panas akan masuk ke dalam wafer itu sendiri, bukan ke载体nya. Hal ini memungkinkan kita untuk mempertahankan profil lapisan fotorezist, mengurangi pembentukan benjolan di pinggir wafer, serta memastikan dimensi-dimensi penting wafer tetap sesuai standar. Dengan demikian, kita mendapatkan hasil yang lebih konsisten dalam hal ketebalan wafer, serta mengurangi jumlah wafer yang gagal diproses. Selain itu, waktu pemanasan juga menjadi lebih dapat diprediksi dari satu batch ke batch lainnya.
Penggunaan energi pun berkurang, karena pemanasnya terhubung langsung ke lapisan film, sehingga tidak ada panas tambahan yang dihasilkan oleh komponen-komponen lainnya. Modul pemanas ini dapat beroperasi 24/7 tanpa gangguan, dengan masa pakai yang melebihi 10.000 jam.
Proses pemasangannya sederhana, namun integrasinya sangat penting. Sistem ini membutuhkan saluran kontrol 24 V yang khusus, udara bersih dan kering dengan tekanan 0,4 MPa, serta chamber proses berbentuk jendela kaca kuarsa yang sesuai dengan mesin pengolah wafer Anda. Proses integrasinya membutuhkan waktu sekitar dua hari, termasuk kalibrasi tabel emisivitas untuk setiap lapisan film.
Perlu diperhatikan adanya efek “thermal shadowing” di zona pinggir wafer. Kami menyediakan protokol pemetaan untuk menentukan batasan-batasan yang aman.