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		<title>処理 on Warm IR Heating Equipment</title>
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				<title>SiCウェーハ加工用ヒータランプ</title>
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				<pubDate>Mon, 01 Jun 2026 18:06:12 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heat-tools.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;SiCウェーハ加工用ヒータランプ&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;ファブフロアでは、SiCウェーハの温度&lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;管理&lt;/a&gt;に余裕はない。フォトレジストのベイク中に2℃の変動があるだけでオーバーレイがずれ、ランプのプロファイルが不適切だとロット全体が不良になる。私たちはこの&lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;現実&lt;/a&gt;に対応するため、SiCウェーハ処理用のヒータランプを設計した。&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;技術的に重要な点&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;石英封入の短波赤外線ハロゲンエミッタを使用し、SiCの吸収特性に合わせて調整することで、ウェーハを迅速かつ安定的に加熱する。ベイクゾーン全体でウェーハレベルの均一性を±0.1℃以内に保ち、サイクル間の再現性も±0.5℃以内に抑えている。クリーンルーム対応は材料選定から設計に組み込み、クラス1〜100の基準に準拠。熱サイクル中の粒子発生はなく、低アウトガス設計によりチャンバー内の汚染を防止する。急速な昇温が可能でありながら、熱予算を超過せず、24時間365日稼働を想定した信頼性プロファイルで、計画外のダウンタイムをゼロに近づける。&lt;/p&gt;</description>
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