Verwarmer voor karakterisering van halfgeleiderapparaten

Wed, 17 Jun 2026 11:53:49 +0800

Op de productielijn zorgt een temperatuurschommeling van 2°C tijdens het bakken van het fotoresistentie-materiaal er niet alleen voor dat de precisie afneemt, maar het kost ook veel tijd en leidt ertoe dat wafer’s die anders hadden kunnen worden geleverd, als schroot moeten worden weggegooid. Verouderde opwarmapparaten maken het moeilijk om de juiste temperatuur te bereiken, waardoor er veel tijd verloren gaat.

We hebben deze opwarmapparaat ontworpen met een focus op herhaalbare temperatuurcontrole en een constructie die geschikt is voor gebruik in schone ruimtes. De uniformiteit op het niveau van de wafer blijft binnen ±0,1°C, zodat de benodigde warmtemetingen nauwkeurig kunnen worden uitgevoerd, zonder grote variatie’s tussen verschillende delen van de wafer.

Apparaat on Warm IR Heating Equipment

Verwarmer voor karakterisering van halfgeleiderapparaten