Вафля on Warm IR Heating Equipment

Дешевая лампочка для сушки вафер

Thu, 25 Jun 2026 01:46:05 +0800

На производственной линии достаточно одного изделия, не соответствующего стандартам качества, чтобы выбросить целую партию продукции. Равномерность температуры, количество частиц в чистой комнате и возможность повторения процесса – это не показатели, которые можно указать в отчетах; это факторы, определяющие успех производства или необходимость его прекращения. Мы разработали лампу для сушки пластин, которая обеспечивает равномерную температуру в пределах допустимых значений, независимо от условий в чистой комнате класса 1–100. При этом не требуется жертвовать точностью ради надежности.

Что важно с технической точки зрения Лампа разработана с учетом требований к температурному режиму в полупроводниковых устройствах: равномерность температуры на всей поверхности пластины составляет ±0,1°C, стабильная работа в условиях чистой комнаты класса 1–100, а также отсутствие образования частиц во время работы. Коротковолновое инфракрасное излучение быстро повышает температуру, снижает задержку теплообмена и обеспечивает стабильность параметров фотополимера при каждой партии продукции. Это позволяет получать стабильные результаты процесса, снижать вариацию параметров и использовать надежные температурные параметры.

Нагрев для тонкой обработки пластин с использованием инфракрасного излучения

Tue, 23 Jun 2026 13:31:55 +0800

На производственной площадке процесс тоннизации waferа позволяет обнажить сам кристалл. При этом температурный режим является фактором, с которым нельзя договариваться. Надежность фотополимерного слоя, напряжения в оксидном слое, его деформация – все это зависит от контроля температуры. Даже небольшое изменение температуры может привести к разделению слоев и потере всей партии продукции размером 300 мм. Мы разработали инфракрасную систему нагрева, которая позволяет поддерживать стабильный температурный режим на протяжении всех циклов обработки.

Инфракрасное излучение передается непосредственно в тонкие слои и сам substrат. Наши устройства для излучения коротких волн точно направляют энергию туда, где это необходимо; однородность температуры на поверхности waferа составляет ±0,1°C в рабочей зоне. Скорость изменения температуры превышает 10°C/секунду, что позволяет проводить процедуры нагрева без выхода температуры за установленные пределы.

Нагревательная лампа для обработки подложек из карбида кремния (SiC)

Mon, 01 Jun 2026 18:06:12 +0800

На производственном участке SiC-воттеры не допускают отклонений температуры. Колебание на 2°C во время сушки фоторезиста способно вывести из строя наложение слоев, а некачественный профиль лампы может привести к потере всей партии. Наш нагреватель для обработки SiC-воттеров разработан с учётом этих условий.

Технические характеристики

Мы используем коротковолновые инфракрасные галогеновые излучатели в кварцевой колбе, настроенные под поглощение SiC, чтобы обеспечить быстрое и стабильное нагревание. В зоне сушки мы поддерживаем однородность температуры на уровне ±0,1°C на уровне каждого воттера и повторяемость от цикла к циклу в пределах ±0,5°C. Конструкция соответствует требованиям чистых помещений класса 1–100: материалы без генерации частиц при термоциклировании и низким выделением газов, что исключает загрязнение камеры. Обеспечивается высокая скорость нагрева без превышения теплового бюджета, а система рассчитана на круглосуточную эксплуатацию с показателями надёжности, обеспечивающими отсутствие незапланированных простоев.