ファブ内では、フォトレジストの焼成時に2℃の温度変動が生じると、CD値が変わってしまうだけでなく、何時間ものリソグラフィー処理時間が無駄になります。また、本来出荷可能だったウェーハも廃棄処分になってしまいます。性能が不十分なヒーターを使うと、熱管理が困難になり、再検証のための時間も余計にかかってしまいます。
当社が開発したこの半導体デバイス評価用ヒーターは、再現性の高い温度制御とクリーンルーム向けの構造を特徴としています。アクティブエリア全体でのウェーハの温度均一性は±0.1℃以内に抑えられており、そのため、ソフトベイクやハードベイクのプロファイルも、ウェーハ内でのばらつきがほとんどありません。
このヒーターは、迅速かつ低熱容量の反応を実現するために短波長の赤外線要素を使用しています。設定温度の変更も迅速に行え、オーバーシュートも起きません。また、クラス1～100の環境下で使用でき、粒子の発生もありません。さらに、ホットゾーンの材料も、ガス放出や金属汚染を最小限に抑えるように選ばれています。そのため、24時間365日、予期せぬ停止がない安定した運用が可能です。
この装置は、温度の再現性が歩留まりを決定づける評価ステーションや処理装置に適合するように設計されています。高い温度均一性により、再検証の回数が減り、安定したベイクプロファイルにより、再作業や再測定にかかる時間も短縮されます。
効率的な赤外線結合と低い待機時の損失により、エネルギー消費も削減されます。また、長寿命であるため、スペアパーツの使用量も減ります。この設計は国際的な半導体装置の規格に準拠しており、信頼性の高い代替品として機能します。そのため、SOPを書き直すことなく、輸入品のヒーターと交換することができます。
設置は簡単ですが、ヒーターには安定した電力供給と、ステージにしっかり固定される必要があります。正確なウェーハ面に合わせるための調整も迅速に行えます。
最大出力密度は、評価の目的に合わせて調整されています。大量生産用の装置の場合は、統合チームと相談して熱負荷のプロファイルを確認してください。
既存の装置に合わせてコネクタインターフェースや取り付け面積を調整することが唯一の制約です。一度合わせてしまえば、指定通りに動作します。