На производственной площадке процесс тоннизации waferа позволяет обнажить сам кристалл. При этом температурный режим является фактором, с которым нельзя договариваться. Надежность фотополимерного слоя, напряжения в оксидном слое, его деформация – все это зависит от контроля температуры. Даже небольшое изменение температуры может привести к разделению слоев и потере всей партии продукции размером 300 мм. Мы разработали инфракрасную систему нагрева, которая позволяет поддерживать стабильный температурный режим на протяжении всех циклов обработки.
Инфракрасное излучение передается непосредственно в тонкие слои и сам substrат. Наши устройства для излучения коротких волн точно направляют энергию туда, где это необходимо; однородность температуры на поверхности waferа составляет ±0,1°C в рабочей зоне. Скорость изменения температуры превышает 10°C/секунду, что позволяет проводить процедуры нагрева без выхода температуры за установленные пределы.
Дизайн устройства учитывает требования чистых помещений класса 1–100: используются материалы с низким уровнем выделения газов, герметичные кварцевые окна, а также системы ламинарного потока воздуха для поддержания стабильного уровня частиц. Уровень частиц остается на уровне 0,3 частиц/см² благодаря контролю в реальном времени.
При тоннизации waferа тепло поступает непосредственно в сам кристалл, а не в поддерживающую конструкцию. Это позволяет сохранять структуру фотополимерного слоя, минимизировать деформации на краях кристалла и обеспечивать соответствие критических размеров заданным параметрам. Это способствует повышению точности контроля толщины слоев, сокращению количества бракованной продукции и стабильности процесса обработки от одной партии к другой.
Потребление энергии снижается благодаря прямому воздействию нагревателя на слои – нет паразитного нагрева элементов оборудования. Устройства работают круглосуточно без перерывов, при этом срок службы превышает 10 000 часов.
Установка устройства проста, но необходима интеграция с остальными компонентами оборудования. Для работы системы требуется специальная линия управления с напряжением 24 В, чистый сухой воздух под давлением 0,4 МПа, а также камера с кварцевыми окнами, соответствующая характеристикам оборудования. Интеграция занимает около двух дней, включая калибровку параметров излучения для каждого типа слоев.
Необходимо учитывать возможность возникновения тепловых теней в зонах, где происходит обработка краев кристалла. Мы предоставляем протоколы для определения безопасных условий работы.