
Pada proses penyempitan wafer tersebut, lapisan fotoresist akan terdedah, dan kawalan suhu merupakan faktor yang tidak boleh dikompromikan. Integriti lapisan fotoresist, tekanan oksida, serta masalah deformasi semuanya bergantung pada kawalan suhu yang tepat. Perubahan suhu sebanyak setengah darjah pun boleh menyebabkan perubahan tekanan pada lapisan tersebut, seterusnya merosakkan keseluruhan wafer berukuran 300 mm tersebut. Kami telah mencipta platform pemanasan inframerah untuk mengekalkan suhu yang stabil dari satu kitaran ke kitaran yang lain.
Pemanasan inframerah berfungsi dengan menghantar tenaga secara langsung ke lapisan tipis tersebut. Array gelombang pendek NIR kami memastikan tenaga disalurkan ke tempat yang diperlukan, dengan ketepatan suhu sekitar ±0.1°C di kawasan aktif wafer. Kelajuan peningkatan suhu melebihi 10°C/s, sehingga proses pemanasan dapat dilakukan dengan lebih efektif tanpa berlaku peningkatan suhu yang berlebihan.
Reka bentuk sistem ini memenuhi standard bilik bersih tahap 1–100: bahan-bahan yang digunakan tidak mengeluarkan gas berbahaya, tingkap kuarza yang tertutup rapat, serta aliran udara yang terkawal membantu mengurangkan jumlah zarah di udara. Tiada zarah dibenarkan wujud dalam udara, dan pemantauan secara berterusan memastikan jumlah zarah kurang dari 0.3 zarah/cm².
Dengan proses penyempitan wafer ini, haba akan sampai ke wafer itu sendiri, bukan ke bahan pembawa. Ini memastikan profil lapisan fotoresist kekal stabil, mengurangkan masalah pada bahagian tepi wafer, dan memastikan dimensi wafer tetap memenuhi spesifikasi yang ditetapkan. Dengan cara ini, ketepatan tebal wafer dapat ditingkatkan, jumlah wafer yang rosak berkurangan, dan proses pemanasan dapat berjalan secara konsisten dari satu kumpulan wafer ke kumpulan wafer yang lain.
Penggunaan tenaga berkurangan kerana pemanas berhubung secara langsung dengan lapisan tersebut, tanpa adanya pemanasan tambahan akibat komponen lain. Modul pemanasan ini boleh beroperasi 24/7 tanpa henti, dengan jangka hayat melebihi 10,000 jam.
Pemasangan sistem ini mudah, namun integrasinya perlu dilakukan dengan teliti. Sistem ini memerlukan saluran kawalan DC 24V, udara kering bertekanan 0.4 MPa, serta bilik proses yang dilengkapi tingkap kuarza yang sesuai dengan peralatan yang digunakan. Proses integrasi mengambil masa kira-kira dua hari, termasuk penyesuaian nilai emisiviti untuk setiap lapisan film.
Perlu juga dipertimbangkan kemungkinan adanya “bayangan haba” di kawasan tepi wafer. Kami menyediakan protokol pemetaan untuk menentukan syarat-syarat selamat untuk operasi sistem ini.