Op de productielijn zorgt een temperatuurschommeling van 2°C tijdens het bakken van het fotoresistentie-materiaal er niet alleen voor dat de precisie afneemt, maar het kost ook veel tijd en leidt ertoe dat wafer’s die anders hadden kunnen worden geleverd, als schroot moeten worden weggegooid. Verouderde opwarmapparaten maken het moeilijk om de juiste temperatuur te bereiken, waardoor er veel tijd verloren gaat.
We hebben deze opwarmapparaat ontworpen met een focus op herhaalbare temperatuurcontrole en een constructie die geschikt is voor gebruik in schone ruimtes. De uniformiteit op het niveau van de wafer blijft binnen ±0,1°C, zodat de benodigde warmtemetingen nauwkeurig kunnen worden uitgevoerd, zonder grote variatie’s tussen verschillende delen van de wafer.
Het apparaat maakt gebruik van korte-golf-infraroodelementen, waardoor er snel kan worden gereageerd op temperatuurveranderingen. De ingestelde temperatuur kan snel worden gewijzigd, zonder dat er sprake is van overschrijdingen. Het apparaat kan worden gebruikt in omgevingen van klasse 1–100, zonder dat er stofontwikkeling optreedt. De materialen die worden gebruikt, zijn speciaal gekozen om uitgasvorming en metaalvervuiling tot een minimum te beperken. U kunt erop rekenen dat het apparaat 24/7 betrouwbaar werkt, zonder onverwachte stilstand door temperatuurschommelingen.
Het apparaat is zo ontworpen dat het kan worden geïntegreerd in karakterisatie-apparaten en procestools, waarbij nauwkeurige temperatuurcontrole belangrijk is voor de kwaliteit van het eindproduct. De hoge uniformiteit zorgt voor minder herhalingsprocedures, terwijl stabiele warmtemetingen de productietijd verkorten door minder herwerking en hermeting nodig te maken.
De energieverbruik wordt verminderd dankzij efficiënte infraroodtechnologie en lage standby-verliezen. Bovendien verlengt de lange levensduur van het apparaat de levensduur van de reserveonderdelen. Het ontwerp voldoet aan internationale normen voor halfgeleiderapparatuur, zodat u importeerde apparaten kunt vervangen zonder uw standaardprocedures te hoeven aanpassen.
De installatie is eenvoudig, maar het apparaat heeft een stabiele, gefilterde stroomvoorziening en een goede thermische bevestiging nodig. Er is ook een snelle alignering nodig om de juiste positie ten opzichte van de wafer te bereiken.
De maximale vermogensdichtheid is aangepast aan de vereisten van de karakterisatieprocessen. Voor apparaten die continu op hoge snelheid moeten werken, is het belangrijk om samen met het integratieteam de thermische belasting te controleren.
Het enige echte beperkende element is het passen van de aansluitingen en de montagepositie op het bestaande apparaat. Zodra dit is gedaan, werkt het apparaat zoals voorgesehen.